Memória Kingston, 8GB

 

Um módulo de memória DDR4-2666 1G x 64 bits (8GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Características:

- Marca: Kingston

- Modelo: KVR26N19S6/8

 

Especificações:

 

Recursos:

- Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica

- VDDQ = 1,2 V típico

- VPP = 2,5 V típico

- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara

- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

- Geração e calibração de VREFDQ na matriz

- Single-rank

- EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)

- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada

- Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)

- Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)

- Topologia fly-by

- Comando de controle terminado e barramento de endereço

- PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm)

- Compatível com RoHS e livre de halogênio

 

Geral:

- CL (IDD): 19 ciclos

- Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)

- Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)

- Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)

- Classificação UL: 94 V-0

- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC

- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.

 

Conteúdo da Embalagem:

- Memória RAM